光耦（光电耦合器）除了常用的晶体管光耦等，达林顿管光耦还有多种高速光耦、可控硅光耦和IGBT光耦和IMP光耦等等，不同类型的类型，需要侧重了解的参数也有一定差异。
以下是南山半导体电商部同事初步整理的部分参数。不同的光耦类型，可能只需要考虑其中部分的参数特点。也有一些特殊光耦的参数没有在列出来。如果您正在准备使用国产高端光耦来替代日本东芝光耦型号和中国台湾的光宝与亿光品牌，请通过南山半导体官方网站在线客服，要求技术工程师协助您做参数对比。和选型替换支持。同时作为国产光耦品牌奥伦德授权代理商（经销商），南山电子还可以为你快速提供光耦样品和小批量订单服务。助力您的产品研发快速推荐，并确保批量购买时光耦参数性能具有良好的一致性。
1. 隔离特性参数
- 隔离电压（Isolation Voltage,Viso(Vrms)）
表示输入与输出端之间能承受的最高电压（通常为AC有效值或DC值），典型值1kV至5kV，用于电气隔离设计。以南京南山半导体有限公司代理的国产光耦品牌奥伦德为例，其光耦隔离电压主要是3750V和5000V为主。 - 隔离电阻（Isolation Resistance, R_iso或RISO）
输入与输出端间的绝缘电阻，通常>10¹²Ω，影响抗干扰能力。 - 隔离电容（Isolation Capacitance, C_iso或CISO）
输入端与输出端间的寄生电容，高频应用中需尽量降低（通常<1pF）。
2. 输入侧参数
- 正向电压（Forward Voltage, V_F或VF）
LED导通所需的最小压降，典型值1.1V~1.5V，需匹配驱动电路电压。 - 正向电流（Forward Current, I_F或IF）
LED工作电流范围（如10mA~50mA），决定光耦传输效率。 - 反向电压（Reverse Voltage, V_R或VR）
LED反向耐压值（通常≤5V），防止反向击穿。
3. 输出侧参数
- 集电极-发射极电压（Collector-Emitter Voltage, V_CEO或VCEO）
输出晶体管最大耐受电压（如30V~80V），需高于负载电压。 - 集电极电流（Collector Current, I_C或IC）
输出晶体管最大允许电流（如10mA~100mA），需考虑负载功耗。
4. 传输特性参数
- 电流传输比（Current Transfer Ratio, CTR）
输出电流与输入电流的百分比（如20%~600%），直接影响信号放大能力。
公式：CTR = (I_out / I_in) × 100% - 响应时间（Response Time）
- 开启时间（Turn-On Time, t_on）：输入信号到输出达90%的时间（如2μs~20μs）。
- 关断时间（Turn-Off Time, t_off）：输入断开到输出降至10%的时间（如3μs~50μs）。
高速光耦（如6N137）t_on/t_off可低至20ns。
5. 环境参数
- 工作温度（Operating Temperature, T_op或Top）
典型范围-40℃~+110℃，高温下CTR会衰减（需降额使用）。
应用场景示例
- 电源反馈回路：优先选择高CTR（如300%以上）和低C_iso的光耦（如奥伦德ORPC和亿光817PC817等）。
- 数字信号隔离：需关注响应时间，高速场景选t_on/t_off < 1μs的型号（如奥伦德OR-2531和东芝TLP2361等）。
- 工业控制：需宽温度范围（-40℃~+125℃）和高V_iso（如5kV）的光耦（如奥伦德光耦型号ORPC-814和博通HCPL-3700）。
通过以上参数组合，可快速筛选适合不同场景的光耦型号，同时避免过设计或参数不足导致的失效风险。
