最新上架
更多- 中科芯32位单片机CKS32F107VET6替代STM32F107VET6：助力国产芯片替代进程
- 中科芯CKS32F103R8T6替代STM32F103R8T6、GD32F103R8T6和APM32F103R8T6的分析
- 国产高性能移位寄存器：友顺 U74HC595AG替代MC74HC595ADR2G解析
- 中科芯32位微控制器CKS32F407系列高度兼容STM32F407系列
- CKS32F051C6T6在硬件引脚和软件寄存器级别与STM32F051C6T6高度兼容
- 国产施密特触发器U74HC14G：高性能兼容替代 SN74HC14DR 的理想之选
- 国巨YC系列排阻YC122-FR-07、YC122-JR-07、YC122-JR-10、YC122-JR-13、YC124-FR-07、YC124-FR-13介绍
- 中科芯超低功耗微控制器CKS32L052系列与STM32L052系列高度兼容
- 中科芯国产32位芯片CKS32F072C6T6替代STM32F072C6T6的优势
- 国巨YC102、YC104系列排阻：YC102-FR-07， YC102-JR-07， YC104-FR-07， YC104-JR-07等
君耀SDT23C712L02静电ESD保护器件规格参数/特点/应用分析 -国巨ESD防静电管代理商
SDT23C712L02是由国巨旗下君耀电子（Brightking）制造的一款高性能的静电ESD保护器件，功率为400W，拥有7V和12V不对称电压的特性，符合IEC61000-4-2标准，接触放电等级为8kV，空气放电等级为15kV。君耀SDT23C712L02静电ESD保护器件采用SOT-23封装，适用于各种电子设备，尤其是需要防护的通信、消费电子及工业设备等应用场景。
SDT23C712L02主要参数：
- 击穿电压 (VBR)：13.3V
- 钳位电压 (VC)：20V
- 反向截止电压 (VRWM)：12V
- 峰值脉冲电流 (IPP)：5A
- 结电容 (CJ)：75pF
- 峰值脉冲功率 (PPP)：400W
- 封装类型：SOT-23
- 存储和工作温度：-55°C to 150°C
- 双向设计：可提供正负极的防护
SDT23C712L02性能特点：
- 优越的ESD保护能力: SDT23C712L02设计遵循IEC 61000-4-2标准，能够有效承受高达±15kV的空气放电和±8kV的接触放电。其IP可以达到5A，确保在瞬态电压下，能快速而有效地保护设备的完整性。
- 低钳位电压: 在发生静电放电事件时，产品具有较低的钳位电压（Vc=20V），这意味着在保护过程中的电压限制更为有效，能够将导致破坏的电压迅速钳位在安全范围内，增强了芯片和电路的安全性。
- 高速响应: 该二极管的高速响应特性使其能够在极短的时间内对突发的电压进行反应，从而最大程度减少对保护设备的可能损害。
- 小型封装: SOT-23封装设计紧凑，便于集成到现代微型化电子产品中，其节省空间的特性使其在手机和便携式设备中特别受欢迎。
- 低结电容: 结电容（CJ=75pF）对高速信号的影响较小，适合高速数据传输的应用，不会严重降低信号质量。
SDT23C712L02常用于RS485接口保护：
RS485联网通信接口作为一种典型的串行差分通讯方式，在工业自动化领域应用十分广泛。然而，在实际操作过程中，RS485通讯传输线经常暴露在户外环境下，易受到雷电浪涌过电压或静电电磁干扰的困扰。为了防止静电放电事件对端口的损害，业内常使用SDT23C712L02等器件做静电防护。
除此之外，SDT23C712L02还可用于安全系统、自动取款机、HFC系统、网络等。
南山电子是国巨君耀原厂授权代理商，仓库现货超过200k，可以为各类新产品设计提供小批量样品快速发货服务，欢迎咨询选购SDT23C712L02静电ESD保护器件，如需该产品详细规格书请咨询南山电子官方网站在线客服。
