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超级沟槽功率MOSFET：NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料/样品申请/现货价格
NCEP3065QU是由新洁能（NCE）生产的高性能N沟道超级沟槽（Super Trench）功率MOSFET，采用先进的超沟槽技术，优化了高频开关性能，能够有效降低导通和开关损耗。它适用于高频开关和同步整流等应用，广泛应用于电源管理、电机驱动、通信等领域。以下是超级沟槽功率MOSFET：NCEP3065QU新洁能Mos管中文资料：
NCEP3065QU主要参数：
- 漏源电压（VDS）：30V
- 连续漏极电流（ID）：65A
- 脉冲漏极电流（IDM）：260A
- 导通电阻（RDS(ON)）：1.9mΩ @ VGS=10V；3.0mΩ @ VGS=4.5V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 最大功耗（PD）：550W
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：500mJ
- 工作温度范围：-55℃至150℃
NCEP3065QU性能特点：
- 低导通损耗：通过超级沟槽（Super Trench）技术优化结构，显著降低导通电阻（RDS(on)），减少能量损耗。
- 高频开关性能：低栅极电荷（Qg）和快速开关速度，适合高频PWM控制或同步整流应用。
- 高可靠性: 耐高温和抗冲击能力强，适用于工业与汽车电子等严苛环境。
- 优异的封装：采用DFN3.3X3.3-8L封装，尺寸仅为3mm x mm毫米，非常适合用于小型电子设备中，该封装还具有较好的热性能，可以帮助器件有效地散热。
- 100% UIS TESTED
- 100% ΔVds TESTED
NCEP3065QU应用场景：
- 电源管理：用于同步整流（如开关电源、快充设备），提升转换效率。
- 电机驱动：驱动直流电机或步进电机，支持高电流负载和快速响应（如电动工具、工业自动化）。
- 电池保护系统：在电池充放电管理电路中作为高端开关，简化驱动设计并降低功耗。
- 新能源与汽车电子：适用于车载逆变器、BMS（电池管理系统）及DC-DC转换器，满足高可靠性和温度稳定性需求。
NCEP3065QU采购信息：
- 封装：DFN3.3X3.3-8L
- 包装方式：Ø180mm编带包装
- 最小包装量：5k/盘
南山电子是新洁能公司授权代理商，欢迎咨询选购NCEP3065QU MOS管。如需产品详细的规格书，请联系网站客服。
