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NCEP039N10D：新洁能超级沟槽II代MOSFET的卓越性能与应用
在高效电源管理领域，MOSFET的性能直接决定了系统的能效与可靠性。新洁能（NCE）推出的NCEP039N10D：新洁能超级沟槽II代MOSFET，基于Super Trench II技术，以极低的导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（Qg）为核心优势，成为高频开关和同步整流应用的标杆级解决方案。其100V耐压、135A高电流能力，以及优化的封装设计，尤其适合DC/DC转换器等高效能场景。
NCEP039N10D主要参数：
- 漏源电压（VDS）：100V
- 连续漏极电流（ID）：135A
- 脉冲漏极电流（IDM）：540A
- 导通电阻（RDS(ON)）：3.5mΩ @ VGS=10V
- 栅源电压（VGS）：±20V
- 最大功耗（PD）：220W
- 单脉冲雪崩能量（EAS）：730mJ
- 工作温度范围：-55℃至175℃
NCEP039N10D特点：
- 强电流电压支持：最高承受100V电压，持续电流可达135A，满足大功率设备需求。
- 导通电阻低：在10V驱动电压下，导通电阻仅3.5mΩ。更低的电阻意味着工作时发热少，能效更高。
- 高效开关：采用独特设计降低开关损耗，特别适合高频工作场景，可提升系统整体效率。
- 耐高温：能在175℃高温下稳定运行，适应汽车电子、工业设备等严苛环境。
- 环保材料：符合无铅环保标准，减少对环境影响。
- 100% UIS TESTED!
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NCEP039N10D应用场景：
- DC/DC转换器：NCEP039N10D的快速开关特性可提升电源转换效率，帮助缩小变压器和电容体积，适用于电脑电源、通信设备等。
- 同步整流：NCEP039N10D可以很好地替代传统的二极管整流方案。相比传统二极管，导通损耗降低80%以上，特别适合充电器、逆变器等需要高效整流的设备。
南山电子是新洁能公司授权代理商，欢迎咨询选NCEP039N10D MOS管，了解产品最新价格请联系我们18251882769（唐经理）或者联系网站客服。
