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国产MOS管：长晶科技2N7002与2N7002K MOSFET参数对比及选型建议
2N7002与2N7002K均为国产知名品牌长晶科技生产的N通道MOSFET，采用SOT-23封装形式，具有体积小、散热性能良好等特点，适用于多种便携式设备及电源转换电路中。它们均具备高密度单元设计，能够实现较低的导通电阻（RDS(on)），同时具有较高的饱和电流能力与可靠性，可作为电压控制的小信号开关使用。以下是长晶科技2N7002与2N7002K MOSFET参数对比及选型建议：
一、2N7002与2N7002K参数对比
| 参数/型号 | 2N7002 | 2N7002K |
|---|---|---|
| 最大漏源电压（VDS） | 60 V | 60 V |
| 最大栅源电压（VGS） | ±20 V | ±20 V |
| 导通电阻（RDS(on)） | 2.5Ω@10V, 3Ω@5V | 2.5Ω@10V, 3Ω@4.5V |
| 连续漏极电流（ID） | 115 mA | 340 mA |
| 最大功率耗散（PD） | 0.225 W | 0.35 W |
| 温度范围（TJ） | -50~+150℃ | -55~+150℃ |
| 阈值电压（VGS(th)） | 1~2.5 V（典型1.6） | 1~2.5 V（典型1.3） |
| 输入电容（Ciss） | 50 pF | 40 pF |
| 开关时间（td(on)/td(off)） | 20ns/40ns | 10ns/15ns |
| 封装形式 | SOT-23 | SOT-23 |
| ESD保护 | 未提及 | 支持 |
二、相同点
1．封装形式：均采用SOT-23封装，体积小，适合紧凑型设计。
2．最大漏源电压（VDS）：均为60V，适用于60V以内的电压等级。
3．导通电阻（RDS(on)）典型值：在VGS=10V、ID=500mA时，均为2.5Ω，导通损耗相近。
二、不同点
1．电流与功率能力
连续漏极电流：2N7002为115mA，2N7002K为340mA，后者电流能力提升近3倍。
最大功耗：2N7002K（0.35W）是2N7002（0.225W）的1.55倍，适合更高功率场景。
2．低压驱动效率
导通电阻@低栅压：2N7002需5V驱动实现3Ω，而2N7002K仅需4.5V，低压驱动效率更高。
3．动态性能
开关速度：2N7002K开启时间（10ns）和关闭时间（15ns）均显著优于2N7002（20ns/40ns），动态损耗更低。
输入电容：2N7002K输入电容（40pF）更低，进一步优化高频响应。
4．功能扩展
ESD保护：2N7002K支持ESD保护，抗静电能力更强，适合便携设备或工业环境。
三、选用建议
选2N7002：
适用场景：低电流（≤115mA）、低频开关（如传感器控制、信号切换）。
核心优势：低成本，满足基础开关需求。
选2N7002K：
适用场景：中高电流（≤340mA）、高频开关（如DC/DC转换器、电机驱动）。
核心优势：低压驱动高效（4.5V@3Ω）、快速开关（10ns/15ns）、ESD保护。
南山电子是长晶科技原厂授权代理商。作为长晶科技多年合作企业，南山电子会根据市场需求进行备货，在价格和售后上相比于其他供应商都具有一定的优势。欢迎咨询选购2N7002与2N7002K MOSFET，如需更多产品信息请咨询南山半导体官方网站在线客服。
