新洁能NCE65T900I和NCE65T900K能够满足多种高电压、大电流的应用场景需求

NCE65T900I和NCE65T900K是无锡新洁能推出的两款N沟道MOSFET，它们采用了先进的沟槽栅超结技术，具备低导通电阻、低栅极电荷等优良特性，广泛应用于AC-DC开关电源、功率因数校正（PFC）和工业电源等领域。

新洁能NCE65T900I和NCE65T900K系列器件通过先进工艺实现了卓越的导通电阻（RDS(ON)）与低栅极电荷的完美结合，其650V的漏源电压（VDS）和5A的连续漏极电流（ID）使其能够满足多种高电压、大电流的应用场景需求。同时，它们还具备小尺寸封装、100%雪崩测试以及符合ROHS标准等优势，为用户提供了高性能、高可靠性的功率开关解决方案。

电气特性

- 高耐压与大电流：漏源电压（VDS）高达650V，能够承受较高的反向电压，确保在高电压应用中的稳定性和安全性。在25℃时，连续漏极电流（ID）可达5A，即使在100℃的高温环境下，也能维持3A的连续漏极电流，满足不同工作温度下的电流需求。

- 低导通电阻：在VGS=10V、ID=2.5A的条件下，导通电阻（RDS(ON)）典型值仅为750mΩ，最大值为900mΩ。低导通电阻意味着在导通状态下，器件的功耗更低，从而提高电源转换效率，降低发热，延长设备使用寿命。

- 低栅极电荷：总栅极电荷（Qg）在VDS=480V、ID=5A、VGS=10V的条件下，典型值为10.5nC，最大值为15nC。低栅极电荷使得驱动电路的设计更加简单，驱动功耗更低，有助于提高开关频率，实现更紧凑的电源设计。

- 快速开关特性：具有较短的开关时间，如开通延迟时间（td(on)）为7nS，开通上升时间（tr）为3nS，关断延迟时间（td(off)）在52-62nS之间，关断下降时间（tf）在10-16nS之间。快速的开关速度能够有效降低开关损耗，提高电源的转换效率，同时减少电磁干扰（EMI）。

- 良好的反向恢复特性：源-漏二极管的反向恢复时间（trr）为210nS，反向恢复电荷（Qrr）为0.66uC，峰值反向恢复电流（Irrm）为6.5A。这些特性使得在高频开关应用中，器件能够快速从导通状态切换到截止状态，减少能量损耗和电压尖峰。

热特性

- 低热阻：热阻（RthJC）从结到外壳的最大值为2.72°C/W，热阻（RthJA）从结到环境的最大值为75°C/W。低热阻意味着在工作过程中，器件能够更有效地将热量散发到周围环境中，从而降低结温，提高器件的可靠性和稳定性，延长使用寿命。

封装信息

- TO-251封装：适用于NCE65T900I型号，具有较小的尺寸和良好的散热性能，适合在紧凑的空间内实现高性能的功率转换。

- TO-252封装：适用于NCE65T900K型号，同样具备小尺寸和高散热效率的特点，为用户提供了更多的选择，以满足不同的应用需求。

应用领域

- 功率因数校正（PFC）：在AC-DC电源转换过程中，用于提高功率因数，减少谐波失真，提高电源的效率和稳定性，满足日益严格的能效标准。

- 开关模式电源（SMPS）：作为开关电源的核心元件，实现高效的电能转换，广泛应用于各种电子设备的电源模块中，如计算机电源、通信电源、工业电源等。

- 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，用于实现电池充电和逆变输出等功能，确保在市电中断时能够快速切换到电池供电，为关键设备提供稳定的电力支持。

NCE65T900I和NCE65T900K凭借其卓越的电气性能、低热阻、小尺寸封装以及良好的安全与合规性，成为了高电压、大电流功率转换应用的理想选择。它们能够有效提高电源转换效率，降低功耗和发热，为各种电子设备提供稳定可靠的电力支持，助力电源技术的发展和创新。