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新洁能功率型场效应管NCE3400XY：工控系统的关键器件
新洁能功率MOSFET--NCE3400XY，这款器件是先进沟槽技术的结晶，专为电池保护和各种开关应用设计。以其卓越的导通电阻、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作而脱颖而出，成为高效能电子设计的关键组件。今天就让我们一起来探索这款新洁能功率型场效应管NCE3400XY：工控系统的关键器件。
NCE3400XY的一般特性包括30V的漏源电压和5.1A的连续漏极电流，这意味着它能够处理高功率和电流，同时保持低导通电阻。在2.5V的栅源电压下，RDS(ON)小于55毫欧，而在10V的栅源电压下，RDS(ON)更是降至24毫欧，这使得它在电源管理、PWM应用和负载开关等应用中表现出色。
这款功率MOSFET还具备无铅产品认证，符合环保要求，并且采用表面贴装封装，便于自动化生产和表面贴装技术（SMT）。此外，NCE3400XY的绝对最大额定值包括±12V的栅源电压和1.3W的最大功耗，以及-55℃至150℃的工作结温和储存温度范围，这使得它能够在极端环境下稳定工作。
NCE3400XY的热特性也非常出色，其结到环境的热阻为96℃/W，这有助于在高功率耗散下保持器件的稳定性。电气特性方面，它提供了从0.7V到1.2V的栅阈值电压，以及在不同栅源电压和漏极电流条件下的低导通电阻。
电气特性
| 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDS | - | - | - | 30 | V |
| VGS | - | - | - | ±12 | V |
| ID | - | - | - | 5.1 | A |
| IDM | - | - | - | 20 | A |
| PD | - | - | - | 1.3 | W |
| TJ, TSTG | - | -55 | - | 150 | ℃ |
| BVDSS | VGS=0V, ID=250μA | 30 | - | - | V |
| IDSS | VDS=30V, VGS=0V | - | - | 1 | μA |
| IGSS | VGS=±12V, VDS=0V | - | - | ±100 | nA |
| VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 0.7 | 0.9 | 1.2 | V |
| RDS(on) | VGS=2.5V, ID=3A | - | - | 55 | mΩ |
| RDS(on) | VGS=4.5V | - | 39 | - | mΩ |
| RDS(on) | VGS=10V | - | - | 33 | mΩ |
| Qg | VGS=15V | - | 9.3 | - | nC |
| Ciss | VDS=15V | - | 595 | - | pF |
| Crss | VDS=15V | - | 36 | - | pF |
动态特性包括595pF的输入电容、39pF的输出电容和36pF的反向传输电容，这些特性使得NCE3400XY在开关应用中能够快速响应。此外，它的开关特性也非常出色，开通延迟时间为3.0纳秒，关断延迟时间为25纳秒，这使得它在需要快速切换的应用中表现出色。
动态特性
| 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 输入电容 | Ciss | - | - | 595 | - | pF |
| 输出电容 | Coss | - | - | 39 | - | pF |
| 反向传输电容 | Crss | VDS=15V, VGS=0V, F=1.0MHz | - | 36 | - | pF |
| 开通延迟时间 | td(on) | - | - | 3.0 | - | ns |
| 开通上升时间 | tr | - | - | 4.5 | - | ns |
| 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 25 | - | ns |
| 关断下降时间 | tf | VDD=15V, RL=3Ω, VGS=10V, RGEN=3Ω | - | - | - | ns |
NCE3400XY的漏源二极管特性也不容忽视，其正向电压为1.2V，能够处理高达5.1A的正向电流。这款功率MOSFET的典型电气和热特性，以及开关测试电路和波形，都展示了其在实际应用中的性能。
总之，NCE3400XY功率MOSFET以其高性能、可靠性和适应性，为现代电子设计提供了一个强大的解决方案。无论是电池保护还是其他开关应用，NCE3400XY都能提供卓越的性能，帮助设计者实现更高效、更可靠的电子设备。
