电子元器件整合供应商

解决方案

作为致力成为最具价值的电子元器件整合供应商,南京南山拥有能为客户提供全套电子元器件的强大整合能力。公司拥有专门技术团队,建有电子元器件例行试验室,能为客户提供全方位的技术咨询、器件选型、样品提供、器件检测等增值服务。

长晶科技MMBT3904系列NPN晶体管:多封装高性能解决方案解析

发布时间:2025-06-18 品牌:长晶(JSCJ) 浏览量:83

在现代电子电路设计中,小型化、高性能的半导体器件需求日益增长。长晶科技(CJ)推出的MMBT3904系列NPN晶体管,以其多样化的封装形式和稳定的电气性能,成为信号放大、开关控制等应用场景的理想选择。该系列包含MMBT3904(SOT-23 封装)、MMBT3904T(SOT-523 封装)和 MMBT3904M(SOT-723 封装)三款型号,通过不同封装尺寸与电气特性的优化,满足从常规电路到高密度集成设计的多元需求。


产品概述:

长晶科技MMBT3904系列晶体管均为NPN型器件,与MMBT3906系列 PNP 晶体管形成互补,适用于差分放大、推挽电路等需要对称器件的场景。三款产品的核心电气特性具有高度一致性:

  • 耐压能力:集电极 - 基极耐压 60V,集电极 - 发射极耐压 40V,发射极 - 基极耐压 6V,满足常规电路安全工作需求.
  • 电流驱动能力:连续集电极电流(IC)均为 200mA(0.2A),可驱动中小功率负载.
  • 温度适应性:工作结温与存储温度范围为 - 55℃~+150℃,适用于工业级环境.

其核心差异主要体现在封装形式及由此衍生的功率耗散、热管理能力上,形成了针对不同应用场景的差异化解决方案。


参数对比:

参数类别 MMBT3904 MMBT3904T MMBT3904M
集电极 - 基极电压 (VCBO) 60V 60V 60V
集电极 - 发射极电压 (VCEO) 40V 40V 40V
发射极 - 基极电压 (VEBO) 6V 6V 6V
连续集电极电流 (IC) 200mA 200mA 200mA
功率耗散 (PC) 200mW 150mW 100mW
结到环境热阻 (RθJA) 625℃/W 833℃/W 1250℃/W
工作/存储温度范围 -55℃~+150℃ -55℃~+150℃ -55℃~+150℃
封装 SOT-23 SOT-523 SOT-723

典型应用场景解析:

MMBT3904(SOT-23):

凭借 200mW 功率耗散与 625℃/W 的热阻表现,适用于中等功耗场景,如消费电子的音频放大电路、工业控制的继电器驱动、电源管理开关等。其封装尺寸便于调试与维修,是通用型电路的首选。

MMBT3904T(SOT-523):

功率耗散 150mW,热阻 833℃/W,主打便携设备与紧凑型设计。典型应用包括智能手机的电源开关、物联网传感器的低功耗信号处理、平板电脑的电池保护电路等,在空间受限但需保持性能的场景中优势显著。

MMBT3904M(SOT-723):

作为系列中最小封装(1.2mm×1.2mm),功率耗散仅 100mW,热阻 1250℃/W,适用于对体积要求极致的场景,如可穿戴设备(智能手表、蓝牙耳机)的微型电路、医疗植入器械的信号放大模块等。设计时需严格控制功耗,避免过热风险。


南山电子是长晶科技原厂授权代理商,欢迎咨询选购长晶科技MMBT3904系列NPN晶体管,如需产品详情、选型指导或样品申请,请联系网站在线客服。