最新上架
更多- 力芯微车规类电源管理IC,顺应小型化与高性能化趋势的发展之路
- 星海整流桥SMB/EMB/UMB/RMB不同封装下的技术突围与场景革命
- 新洁能P道沟MOS管与其他主流品牌的多维度实力对决
- 亿光闪光灯LED:高亮度与高显色性的摄影光源技术突破
- 国巨车规软端电容器AS0603JRX7R, AS0603KRX7R, AS0805KFX7R, AS0805KKX7R, AS0805KPX7R, AS0805KRX7R系列介绍
- 立隆VEJ681M系列SMD铝电解电容:多场景适配的高可靠元件
- 国巨AC2010系列车规电阻在极端温度下表现如何?
- 风华高科TF06E系列高精度薄膜电阻:精密电路中的稳定性解决方案
- 光颉科技TR30系列TO-220封装功率电阻器在开关电源中的作用
- 德昌双极型三极管SOT-523和SOT-883两种封装在大功率输出时的散热解决方案
长晶科技BAS516与BAS316高速开关二极管技术解析与应用对比
在现代电子电路设计中,高速开关二极管作为实现信号快速切换的关键元件,其性能直接影响电路的可靠性与效率。长晶科技(CJ)推出的BAS516与BAS316两款高速开关二极管,凭借优异的开关速度和紧凑的表面贴装封装,广泛应用于各类高速切换电路。本文将从封装特性、电气参数、应用场景等维度深入剖析两者的技术差异与共性,为工程师选型提供全面参考。

封装与物理特性:
- 封装类型与尺寸 BAS316 采用 SOD-323 封装,建议焊盘布局 2.15mm×0.7mm,适合高密度设计;BAS516 采用 SOD-523 封装,焊盘布局 1.42mm×0.6mm,均支持表面贴装与自动化焊接。
- 标记与极性识别 BAS316 标记为“A6”,BAS516 标记为 “61”,均通过标记条标识阴极,避免焊接极性错误。
电气性能差异与共性:
- 反向电压能力 BAS316 峰值重复反向电压 85V、直流阻断电压 75V,击穿电压 100V,适用于中等电压场景;BAS516 峰值重复反向电压 75V,非重复峰值反向电压 100V,更适合瞬时高压冲击环境。两者 VR=75V 时反向电流均≤1μA。
- 正向导通与功耗特性 两者连续正向电流均 250mA,正向导通电压随电流增大而升高,IF=150mA 时均为 1.25V。BAS316 功率耗散 250mW、热阻 500℃/W,散热更优;BAS516 功率耗散 150mW、热阻 833℃/W,适合低功耗场景。
- 高频开关性能 反向恢复时间均 4ns,满足 MHz 级切换需求。BAS516 总电容 1pF,优于 BAS316 的 1.5pF,高频信号失真更小。
参数 | BAS316 (SOD-323) | BAS516 (SOD-523) |
封装尺寸 (L×W×H) | 1.6×1.2×1.0 mm | 1.3×0.8×0.35 mm |
峰值反向电压 | 85 V | 100 V |
额定功耗 (PD) | 250 mW | 150 mW |
热阻 (RθJA) | 500 °C/W | 833 °C/W |
结电容 (Cj @1MHz) | 1.5 pF | 1.0 pF |
反向恢复时间 (tr) | 4 ns | 4 ns |
7英寸卷盘载带容量 | 3000 pcs | 8000 pcs |
应用场景适配性:
- BAS316:适用于中等功率高速开关电路,如电源切换、脉冲电路等,兼顾封装尺寸与散热需求。
- BAS516:低功耗、小电容特性适用于高频通信、传感器信号开关等场景,8000 颗 / 卷包装适合大规模量产。
包装与可靠性:
- 卷带包装:BAS316 为 3000 颗 / 7 英寸卷,BAS516 为 8000 颗 / 卷,载体带均采用碳填充聚碳酸酯树脂,抗静电性能优异。
- 环境适应性:工作结温与存储温度范围 - 55℃~+150℃,满足工业级应用需求。
BAS316与BAS516 核心开关性能一致,功耗、电压能力与封装细节形成差异化定位。BAS316 适合中等功率、散热要求高的场景;BAS516 适合高频、低漏电精密电路。工程师可根据电压等级、功耗预算及量产规模灵活选型,两者均为高速电子系统提供可靠开关方案。
南山电子是长晶科技原厂授权代理商,欢迎咨询选购长晶科技BAS516与BAS316高速开关二极管,如需产品详情、选型指导或样品申请,请联系网站在线客服。